В октябре прошлого года компания Samsung Electronics начала массовое производство первых однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET, которые используются в Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835, лежащих в основе Galaxy S8. Теперь Samsung сообщила о следующем достижении — техпроцесс 10-нм FinFET второго поколения прошел необходимые сертификации и готов к производству.

Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).

Также Samsung обещает запустить новую линию по производству 10-нм процессоров нового поколения, запустив линии S3 завода в Корейском городе Хвасон (Hwaseong) в четвертом квартале года, Отметим, что по слухам ряд флагманов 2017 года был задержан именно из-за недостаточного объема производства Snapdragon 835, первые партии которого Samsung зарезервировала под свои нужды, проще говоря, обеспечила Galaxy S8 эксклюзив.

Источник

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *